Нелінейныя крышталі

Метады вырошчвання, уключаючы гарызантальныя і вертыкальныя, гэтыя матэрыялы (ZnGeP2, AgGaS2, AgGaSe2, GaSe, KTA, KTP, BIBO, LBO, BBO) даступныя з зададзенымі стандартнымі памерамі і арыентацыямі.Некаторыя з іх, з уласцівасцямі вялікага нелінейнага каэфіцыента і унікальнымі памерамі, якія мы прадставілі, шырока выкарыстоўваюцца ў звычайных сістэмах SHG, THG і сярэдняга інфрачырвонага дыяпазону OPO, OPA і г. д. Прадукты могуць пастаўляцца з трымальнікам з анадаванага алюмінія або без яго.

Крышталь GaSe

Нелінейна-аптычны монакрышталь селеніду галію (GaSe), які спалучае ў сабе вялікі нелінейны каэфіцыент, высокі парог пашкоджання і шырокі дыяпазон празрыстасці.Гэта вельмі прыдатны матэрыял для SHG ў сярэдзіне ВК.
Крышталі ZGP(ZnGeP2).

Крышталі ZGP валодаюць вялікімі нелінейнымі каэфіцыентамі (d36=75pm/V), шырокім інфрачырвоным дыяпазонам празрыстасці (0,75-12 мкм), высокай цеплаправоднасцю (0,35 Вт/(см·К)), высокім парогам лазернага пашкоджання (2-5 Дж/см2) і Крышталь ZnGeP2 быў названы каралём інфрачырвоных нелінейна-аптычных крышталяў і па-ранейшаму з'яўляецца найлепшым матэрыялам для пераўтварэння частоты для генерацыі інфрачырвонага лазера з магчымасцю перабудовы высокай магутнасці.Мы можам прапанаваць крышталі ZGP высокай аптычнай якасці і вялікага дыяметра з вельмі нізкім каэфіцыентам паглынання α < 0,05 см-1 (пры даўжынях хваль накачкі 2,0-2,1 мкм), якія можна выкарыстоўваць для генерацыі наладжвальнага лазера ў сярэднім інфрачырвоным дыяпазоне з высокай эфектыўнасцю праз OPO або OPA працэсаў.
Крышталі AGSe(AgGaSe2).

АГСеКрышталі AgGaSe2 маюць краю палос 0,73 і 18 мкм.Яго карысны дыяпазон перадачы (0,9–16 мкм) і шырокая магчымасць фазавага ўзгаднення забяспечваюць выдатны патэнцыял для прымянення OPO пры накачцы мноствам розных лазераў.Налада ў межах 2,5–12 мкм была атрымана пры накачцы лазерам Ho:YLF на 2,05 мкм;а таксама працу некрытычнага фазавага ўзгаднення (NCPM) у межах 1,9–5,5 мкм пры напампоўцы на 1,4–1,55 мкм.Было прадэманстравана, што AgGaSe2 (AgGaSe2) з'яўляецца эфектыўным крышталем падваення частоты для выпраменьвання інфрачырвонага CO2-лазера.
Крышталі AGS(AgGaS2).

AGS празрысты ад 0,50 да 13,2 мкм.Нягледзячы на тое, што яго нелінейна-аптычны каэфіцыент з'яўляецца самым нізкім сярод згаданых інфрачырвоных крышталяў, высокая кароткахвалевая празрыстасць акантоўкі на 550 нм выкарыстоўваецца ў OPOs з напампоўкай Nd:YAG лазерам;у шматлікіх эксперыментах па змешванні рознасці частат з дыёдам, Ti:Sapphire, Nd:YAG і ВК-лазерамі на фарбавальніках, якія ахопліваюць дыяпазон 3–12 мкм;у сістэмах прамога інфрачырвонага процідзеяння і для SHG CO2-лазера.Тонкія крышталічныя пласціны AgGaS2 (AGS) папулярныя для генерацыі ультракароткіх імпульсаў у сярэднім ІЧ-дыяпазоне шляхам генерацыі рознаснай частаты з выкарыстаннем імпульсаў даўжыні хвалі БІЧ.
Крышталі BGSe(BaGa4Se7).

Высакаякасныя крышталі BGSe (BaGa4Se7) з'яўляюцца селенідным аналагам халькагеніднага злучэння BaGa4S7, чыя ацэнтрычная ромбічная структура была ідэнтыфікавана ў 1983 годзе, а эфект ВК NLO быў паведамлены ў 2009 годзе, з'яўляецца нядаўна распрацаваным крышталем ВК NLO.Ён быў атрыманы з дапамогай тэхнікі Брыджмэна-Стокбаргера.Гэты крышталь дэманструе высокі каэфіцыент прапускання ў шырокім дыяпазоне 0,47–18 мкм, за выключэннем піку паглынання каля 15 мкм.
Крышталі BGGSe(BaGa2GeSe6).

Крышталь BaGa2GeSe6 мае высокі парог аптычнага разбурэння (110 МВт/см2), шырокі спектральны дыяпазон празрыстасці (ад 0,5 да 18 мкм) і высокую нелінейнасць (d11 = 66 ± 15 пм/В), што робіць гэты крышталь вельмі прывабным для пераўтварэнне частоты лазернага выпраменьвання ў (або ўнутры) сярэдняга ІЧ дыяпазону.