Крышталь HgGa2S4

Высокія значэнні парога лазернага пашкоджання і эфектыўнасці пераўтварэння дазваляюць выкарыстоўваць тиогаллат ртуці HgGa₂S₄(HGS) нелінейныя крышталі для падваення частоты і OPO/OPA ў дыяпазоне даўжынь хваль ад 1,0 да 10 мкм.Устаноўлена, што эфектыўнасць ГВГ СА₂лазернае выпраменьванне для даўжыні 4 мм HgGa₂S₄элемента каля 10 % (працягласць імпульсу 30 нс, шчыльнасць магутнасці выпраменьвання 60 МВт/см²).Высокая эфектыўнасць пераўтварэння і шырокі дыяпазон перабудовы даўжыні хвалі выпраменьвання дазваляюць чакаць, што гэты матэрыял можа канкураваць з AgGaS₂, AgGaSe₂, ЗнГеП₂і крышталяў GaSe, нягледзячы на ​​значную складанасць працэсу росту крышталяў вялікіх памераў.
прыкладанні:
• Генерацыя другой гармонікі на CO і CO2 - лазерах
• Генератар розных частот для сярэдняй інфрачырвонай вобласці.
• Аптычны параметрычны асцылятар
• Змешванне частот у сярэдняй ВК вобласці