Прадукты - Частка 3

KTP крышталь

Арсенат тытаніла калію (KTiOAsO4), або крышталь KTA, з'яўляецца выдатным нелінейным аптычным крышталем для аптычных параметрічных ваганняў (OPO).Ён мае лепшыя нелінейна-аптычныя і электрааптычныя каэфіцыенты, значна зніжанае паглынанне ў вобласці 2,0-5,0 мкм, шырокую вуглавую і тэмпературную паласу прапускання, нізкую дыэлектрычную пранікальнасць.
Cr2+: ZnSe

Cr²+:ZnSe насычаюцца паглынальнікі (SA) з'яўляюцца ідэальнымі матэрыяламі для пасіўных Q-пераключальнікаў бяспечных для вачэй валаконных і цвёрдацельных лазераў, якія працуюць у спектральным дыяпазоне 1,5-2,1 мкм.
Крышталь ZnTe

Тэлурыд цынку - гэта бінарнае хімічнае злучэнне з формулай ZnTe.DIEN TECH вырабляе крышталь ZnTe з воссю крышталя <110>, які з'яўляецца ідэальным матэрыялам, які выкарыстоўваецца для забеспячэння імпульсу тэрагерцавай частоты праз нелінейны аптычны працэс, які называецца аптычным выпрамленнем, з выкарыстаннем светлавога імпульсу высокай інтэнсіўнасці субпікасекунды.Элементы ZnTe, якія прапануе DIEN TECH, не маюць двайных дэфектаў.
Fe:ZnSe/Fe:ZnS

Fe²+:ZnSe насычаемыя паглынальнікі (SA) з селенідам цынку, легаваныя фермай, з'яўляюцца ідэальнымі матэрыяламі для пасіўных пераключальнікаў добрасці цвёрдацельных лазераў, якія працуюць у спектральным дыяпазоне 2,5-4,0 мкм.
Цысталы PPKTP

Тытанілфасфат калію з перыядычным полюсам (PPKTP) - гэта сегнетоэлектрычны нелінейны крышталь з унікальнай структурай, якая спрыяе эфектыўнаму пераўтварэнню частоты праз квазіфазавае ўзгадненне (QPM).
Крышталь HgGa2S4

Высокія значэнні парога лазернага пашкоджання і эфектыўнасці пераўтварэння дазваляюць выкарыстоўваць тиогаллат ртуці HgGa₂S₄(HGS) нелінейныя крышталі для падваення частоты і OPO/OPA ў дыяпазоне даўжынь хваль ад 1,0 да 10 мкм.Устаноўлена, што эфектыўнасць ГВГ СА₂лазернае выпраменьванне для даўжыні 4 мм HgGa₂S₄элемента каля 10 % (працягласць імпульсу 30 нс, шчыльнасць магутнасці выпраменьвання 60 МВт/см²).Высокая эфектыўнасць пераўтварэння і шырокі дыяпазон перабудовы даўжыні хвалі выпраменьвання дазваляюць чакаць, што гэты матэрыял можа канкураваць з AgGaS₂, AgGaSe₂, ЗнГеП₂і крышталяў GaSe, нягледзячы на значную складанасць працэсу росту крышталяў вялікіх памераў.